咨询热线
13061644116
13061644116
追求合作共赢
Win win for you and me光器件垂直整合方案提供者
诚信经营质量保障价格合理服务完善产品分类
Product Category相关文章
Related Articles
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
2mm大光敏面InGaSe光电探测器是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。
便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔 半导体激光二极管。 超大光敏面 铟镓砷(InGaAs)PIN结二极管(PD) 光电二极管（10mm）近红外波长
