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美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器:材料:InGaAs 上升/下降时间:<25ps/<25ps; 响应度:0.65A/W@1300nm; 带宽:>15GHz; 有效面积直径:32um; 输出连接:SMA 光纤连接 FC/UPC,SMF28e
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器:材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接,FC/UPC
美国EOT InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降时间:<175ps/<175ps; 响应度:0.9A/W@1300nm; 带宽:>2GHz; 有效面积直径:100um; 输出连接:BNC
2.2um扩展型InGaAs光电二极管探测器:峰值波长(典型): 2.0 ± 0.1um 截止波长 (50%): 2.2 ± 0.1um 响应度@ λP(min/typ):0.9/1.0A/W 有效直径:3mm