760nm单模垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用而设计,内置防静电（ESD）保护。

760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用而设计,内置防静电（ESD）保护.

894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs：以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。

1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW：以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。

795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。

760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips：Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm、764nm激光器， 760nm用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。

850±10nm单模VCSEL激光器：Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。