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垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作
795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips正向电流 VF 典型值 1.8 V 输出功率 Φ 典型值 0.13 mW 阈值电流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 单模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波长 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。
Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。
筱晓光子的新款1654nm VCSEL激光器中应用了新发明的高对比度光栅层(HCG),HCG比传统的分布布拉格反射镜(DBR)薄约50倍,但具有更高的反射率和更宽的光谱宽度。我们的这款激光器具有高达8nm的调谐范围,调谐频率可达100kHz,是测试CH4气体的理想选择。
850nm蝶形高速调制单模 VCSEL激光器:LD-PD INC借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。
Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。