850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管（带TEC）850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管（带TEC） VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC）PL-VCSEL-W0850-0-A82-CPSA PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（带TEC） PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计

850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射，具有对称的高斯光束轮廓，输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

850nm单模VCSEL激光器TO46（带TEC）2mW 850nm单模VCSEL激光器TO46（带TEC）2mW Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。

850nm单模VCSEL激光器TO46（不带TEC）2mW Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），VCSEL垂直腔面发射激光器 (半导体激光器 1.0mW)简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成，

850±10nm单模VCSEL激光器：中心波长 850nm；波长偏差 ±10nm；输出功率 1mw；TO46封装；自由空间输出；不带TEC