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品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 面议 |
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组成要素 | 半导体激光器产品及设备 | 产地类别 | 进口 |
应用领域 | 化工,建材,电子 |
铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 截止波长≥2.4um
铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um正照射结构
灵敏度高
响应时间快
内部集成二级热电制冷器
光谱探测与分析
气体分析
水含量分析等
特性参数 | 典型值 | 备注 |
光敏面直径 | 1mm | 可订制 |
规模 | 单元 | |
工作温度 | -20~+60 ℃ | |
储存温度 | -55~+70 ℃ | |
波段 | 1.0~2.5 um | |
峰值波长 | 2.2 um | |
峰值量子效率 | ≥70% | -20℃ |
峰值响应率 | ≥1.1A/W | -20°C |
器件阻抗 | 2.5×105Ω | -20℃ |
暗电流 | ≤4x10-7A | @-0.01V,-20℃ |
等效噪声功率 | ≤4.5*10-13 W/Hz1/2 | @2.2um,-20℃ |
峰值探测率 | ≥2x1011 cm.Hz1/2/W | -20℃ |
封装形式 | 内部集成热电制冷器、TO-9管壳 | 可订制 |
典型光谱响应曲线:
引脚定义
产品结构及尺寸: (单位 mm)
注意事项:
(1)产品使用过程中,热电制冷器正、负端不可接反,否则会影响产品的性能和使用寿命。
(2)产品采用热敏电阻进行测温,制冷效果和环境温度、电源性能、散热状态相关。
(3)在产品的管脚上套有静电保护装置,在使用过程中,操作人员应戴静电手环,采取妥善的静电防护措施,然后取下静电保护装置、使用产品。
(4)产品在存贮、运输过程中,应带上静电保护装置,并储存于防静电盒内。
(5)产品需在断电后进行插拔操作;产品不工作时,应停止给热电制冷器供 电。
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