1320nm高温高功率DFB激光芯片 250mWDFB-1320-CoC-250-85-

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为什么要使用DFB激光器？ DFB激光器的详细介绍筱晓光子TDLAS气体检测介绍

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1320nm高温高功率DFB激光芯片适合在高温下工作，具有超低的RIN 噪声和高输出光功率等优点.输出功率高达250mW.可根据客户的需求提供波长定制服务

1320nm高温高功率DFB激光芯片 250mW,1320nm高温高功率DFB激光芯片 250mW

通用参数

产品特点：

高功率和高温的设计

在大的温度和电流范围内无跳模

低光束发射角

高边摸抑制比（SMSR)

低RIN

高反馈可持续性

产品应用：

光信号收发器

数据中心

技术参数：

推荐的操作条件
参数	最小值	典型值	最大值	单位
芯片温度	65	85	105	°C
正向电流		800	900	mA
输出功率	20		250	mW

基本参数
对每个样品进行测试@ CW, 85C, 800mA
参数	最小值	典型值	最大值	单位
输出功率@ 900mA	250			mW
正向电压		1.5	3	V
阈值电流		100	130	mA
功率转换效率		18		%
峰值波长*	1315	1320	1325	nm
波长温度调谐系数		90		pm/°C
波长电流调谐系数		2.9		pm/mA
边模抑制比 (SMSR)	40	45		dB
慢轴光束发散角 (FWHM)	7	8	9	deg
快轴光束发散角 (FWHM)	33	35	37	deg
偏振消光比 (PER)	15	20		dB
偏振		TE
*可根据要求提供范围1270-1330nm范围的其他波长
噪声特性
条件 @ CW, 85C, 800mA
参数	最小值	典型值	最大值	单位
线宽 (自外差法 @ 80MHz)		1	5	MHz
相对强度噪声 (RIN)*			-140	dB/Hz
反馈灵敏度 (optical)**			-30	dB
* 平均值，测量范围为DC-10GHz ** 单线光谱和RIN<-140dB/Hz
芯片参数
参数	最小值	典型值	最大值	单位
芯片长度		3		mm
前端面的背向反射		0.01	0.1	%
后端面的背向反射	90	99		%