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| 品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 组成要素 | 半导体激光器产品及设备 | 产地类别 | 进口 |
| 应用领域 | 化工,建材,电子 |
砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很强，它在2-16μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。
砷化镓（GaAs）窗片 1-16μm ф25.4×3mm,砷化镓（GaAs）窗片 1-16μm ф25.4×3mm产品特点
● 化学稳定性好
● 硬度高
● 抗恶劣环境能力很强
产品应用
● 太赫兹时域系统
● 太赫兹源窗片
● 科学实验室研究
● 远红外光学
● 高功率CO2激光器
● 热红外成像系统
● FLIR系统
参数
| 直径公差 | +0/-0.005“ （+0/-0.13 毫米） |
| 厚度公差 | ± 0.005英寸（±0.13毫米） |
| 通光孔径 | 85% |
| 排比 Parallelism | 3弧分(3 arc min) |
平整度 Flatness | 10.6微米的1/10波 (1/10 wave at 10.6 microns) |
| 表面光洁度 | 60/40 |
| 基板材料 | 砷化镓 |
传输范围： | 1-16μm |
折射率： | 3.2727 @10.33μm |
反射损失： | 44％@10.33μm |
吸收系数： | 0.01cm-1 |
吸收峰： | n / a |
dn / dT： | 147×10-6/℃ @ 10μm for derivation |
dn /dμ= 0： | 6.3μm |
密度： | 5.315g/cm3 |
熔点： | 1511℃ |
热导率： | 48 W m-1K-1@273K |
热膨胀： | 5.7×10-6/℃@300K |
硬度： | Knoop 750 |
比热容： | 360 JKg-1K-1 |
介电常数： | 在低频下为12.91 |
杨氏模量（E）： | 84.8GPa |
剪切模量（G）： | n / a |
体积模量（K）： | 75.5GPa |
弹性系数： | n / a |
表观弹性极限： | 71.9 MPa |
泊松比： | 0.31 |
溶解性： | 不溶于水 |
分子量： | 144.64 |
类/结构： | 立方ZnS，F43m，（100）裂解 |
折射率（O光）
µm | No | µm | No | µm | No |
1.033 | 3.492 | 1.550 | 3.3737 | 2.066 | 3.338 |
2.480 | 3.324 | 3.100 | 3.3125 | 4.133 | 3.3027 |
4.959 | 3.2978 | 6.199 | 3.2921 | 7.293 | 3.2874 |
8.266 | 3.2831 | 9.537 | 3.2769 | 10.33 | 3.2727 |
11.27 | 3.2671 | 12.40 | 3.2597 | 13.78 | 3.2493 |
15.50 | 3.2336 | 17.71 | 3.2081 | 19.07 | 3.1866 |
光谱透射曲线
订购型号 | 规格(D×L)(mm) | 光谱范围 |
GAASP10-0.3 | 10.0×0.3mm | IR |
GAASP25.4-2 | 25.4×2.0mm | IR |
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