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1480nm 高功率SLD激光器 >15mW

简要描述:筱晓(上海)光子技术有限公司,MCT探测器,半导体激光二极管,中红外QCL激光器, ,光电探测器

1480nm 高功率SLD激光器 >15mW

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-11-04
  • 访  问  量:373

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组成要素半导体激光器产品及设备产地类别进口
应用领域化工,建材,电子

1480nm 高功率SLD激光器 >15mW 1480nm 高功率SLD激光器 >15mW

DenseLight DL-CS48H5A系列是一种以固有的超辐射发光模式运行的宽带SLD.这种超辐射发光特性可以在更高的电流驱动下产生更宽的光谱带宽,而其他传统的基于ASE的SLED在更高的电流驱动下会产生更窄的光谱带宽。其低相干性降低了瑞利后向散射噪声。再加上高功率和大谱宽,它抵消了光接收器噪声,提高了空间分辨率(OCT)和测量灵敏度(传感器)。这款1480nmSLED 是14引脚蝶形封装。它符合Bellcore文件GR-468-CORE的要求


中心波长
1480nm
输出功率
15mW
通用参数

产品特点:

光纤输出功率为>15mW

典型的3 dB光谱宽度 >45nm

典型的频谱调制频率为0.2 dB

 BTF 封装

单模光纤


产品应用:

光纤陀螺仪

光学测试仪器

光纤传感器

光纤通信

光学相干断层成像术

生物医学成像装置


技术参数:(TSLED = 25 ℃)

参数

符号

条件

最小

典型

最大

单位

工作电流

Iop

-

-

-

350

mA

正向电压

VF

Iop

-

-

2

V

单模光纤输出功率

Po

Iop

15

-

-

mW

中心波长

l

Iop

1460

1480

1500

nm

光谱宽度

BFWHM

Iop

45

50

-

nm

光谱调制

R

Iop

-

0.2

0.35

dB

热敏电阻

Rtherm

T = 25 °C

9.5

10

10.5

TEC电压

VTEC

Iop

-

-

2.5

V

TEC电流

ITEC

Iop

-

-

1.1

A

 

绝对最大值参数

参数

符号

条件

最小

最大

单位

反向电压

VR

-

-

2

V

正向电流

IF

-

-

400

mA

正向电压

VF

Iop

-

2.5

V

机身温度

Tc

Iop

-40

70

°C

SLED 温度1

TSLED

Iop

0

70

°C

TEC电压

VTEC

-

-

3.0

V

TEC电流

ITEC

-

-

1.8

A

存储温度

Tstg

Unbiased

-40

85

°C

存储湿度

-

-

5

85

%RH

静电扩散 (ESD)

VESD

Human body   model

-

500

V

铅焊温度

Stemp

-

-

260

°C

铅焊时间

Stime

-

-

10

sec

1 TSLED由内部热敏电阻监测

 

 

典型的性能曲线图(操作条件:TSLED=25°C)





BTF封装

参数

描述

封装类型

BTF

光纤:

SMF-28

MFD

10mm

包层直径

125mm

涂层直径

245mm

保护套管

900mm loose tube

尾纤长度

1m

光纤弯曲半径

>40mm

连接头

FC/APC

尺寸信息

见下图

 





引脚定义



 


 

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