砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT-

产品分类

Product Category

光电探测器

单光子探测器/计数器光电倍增管其他光电探测器 Ge锗光电探测器 Ge锗光电二极管砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb InP磷化铟光电探测器 Si硅光电探测器 Si硅光电二极管 InGaAs铟镓砷光电二极管 InGaAs铟镓砷光电探测器 MCT碲镉汞探测器

查看全部

详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量<1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。

EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。

带宽(Hz)

20 kHz-10 GHz

技术参数

特征

内置跨阻放大器

占地面积小

外墙插电电源

带宽高达 10 GHz

选项

探测器材质

活动区

提供光纤耦合或自由空间选项

应用

监测高重复率、外部调制的连续激光器

查看<1 mW 的激光功率

ET-4000A - >10 GHz GaAs 放大光电探测器

零件号（型号）	120-10073-0001 (ET-4000A) a	120-10077-0001 (ET-4000AF) a
探测器材质	砷化镓	砷化镓
上升时间/下降时间	35 ps/35 ps	35 ps/35 ps
转换增益	1340 V/W 在 850 nm	850 nm 时为 970 V/W
电源	5 伏直流电	5 伏直流电
带宽	20 kHz 至 10 GHz	20 kHz 至 10 GHz
有效面积直径	60微米	60微米
接受角（1/2角）	15°	不适用
噪声等效功率b	35 pW/√Hz 在 850 nm	850 nm 时为 50 pW/√Hz
直流监视器输出	1 毫伏/微安	1 毫伏/微安
最大线性额定值	450 mVp-p	450 mVp-p
安装（螺纹孔）	8-32 或 M4	8-32 或 M4
输出连接器	SMA	SMA
光纤连接c	不适用	FC/UPC

产品规格可能会发生变化。所有产品均符合 RoHS 标准。
一个交流耦合b 噪声等效功率（NEP）经由短路输出来确定。Ç 多模光纤可用。可能会限制带宽。注意：除非另有说明，否则所有规格均适用于 50 Ω 端接。

SPECIFICATIONS
Part No. (Model)型号	120-10013-0001 (ET-2030A)a	120-10036-0001 (ET-3000A)a	120-10060-0001 (ET-3500A)a	120-10064-0001 (ET-3500AF)a	120-10073-0001 (ET-4000A)a	120-10077-0001 (ET-4000AF)a	120-10115-0001 (ET-5000A)a	120-10116-0001 (ET-5000AF)a
Detector Material 探测器材料	Silicon	InGaAs	InGaAs	InGaAs	GaAs	GaAs	InGaAs	InGaAs
Rise Time/Fall Time 上升/下降时间	<500 ps/<500 ps	<400 ps/<400 ps	35 ps/35 ps	35 ps/35 ps	35 ps/35 ps	35 ps/35 ps	35 ps/35 ps	35 ps/35 ps
Conversion Gain 转换增益	450 V/W at 830 nm	900 V/W at 1300 nm	2250 V/W at 1310 nm	1620 V/W at 1310 nm	1340 V/W at 850 nm	970 V/W at 850 nm	3250 V/W at 2000 nm	2350 V/W at 2000 nm
Power Supply 电源	24 VDC	24 VDC	5 VDC	5 VDC	5 VDC	5 VDC	5 VDC	5 VDC
Bandwidth 带宽	30 kHz to 1.2 GHz	30 kHz to 1.5 GHz	20 kHz to 10 GHz	20 kHz to 10 GHz	20 kHz to 10 GHz	20 kHz to 10 GHz	20 kHz to 10 GHz	20 kHz to 10 GHz
Active Area Diameter 有效面积直径	400 µm	100 µm	32 µm	32 µm	60 µm	60 µm	40 µm	40 µm
Acceptance Angle (1/2 angle) 接受角（1/2角）	10⁰	20⁰	15⁰	N/A	15⁰	N/A	20⁰	N/A
Noise Equivalent Powerb 噪声等效功率	<60 pW/√Hz at 830 nm	<30 pW/√Hz at 1300 nm	25 pW/√Hz at 1310 nm	30 pW/√Hz at 1310 nm	35 pW/√Hz at 850 nm	50 pW/√Hz at 850 nm	20 pW/√Hz at 2000nm	25 pW/√Hz at 2000 nm
DC Monitor Output 直流监视器输出			1 mV/µA	1 mV/µA	1 mV/µA	1 mV/µA	1 mV/µA	1 mV/µA
Maximum Linear Rating 最大线性额定值	1.3 V peak	1.3 V peak	450 mVp-p	450 mVp-p	450 mVp-p	450 mVp-p	450 mVp-p	450 mVp-p
Mounting (Tapped Holes) 安装（螺纹孔)	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4
Output Connector 输出连接器	BNC	BNC	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
Fiber Optic Connectionc 光纤连接	N/A	N/A	N/A	FC/UPC	N/A	FC/UPC	N/A	FC/UPC

产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。

交流耦合

b噪声等效功率（NEP）通过短路输出确定。

c多模光纤可用。可能会限制带宽。

注：除非另有说明，否则所有规范均适用于50Ω终端。

砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT

产品咨询

上一篇：铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT
下一篇：砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT

砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT

ET-4000A - >10 GHz GaAs 放大光电探测器

留言框

产品：

您的单位：

您的姓名：

联系电话：

常用邮箱：

省份：

详细地址：

补充说明：

验证码：