咨询热线
13061644116
13061644116
追求合作共赢
Win win for you and me光器件垂直整合方案提供者
诚信经营质量保障价格合理服务完善产品分类
Product Category相关文章
Related Articles详细介绍
| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,能源,建材,电子 |
ALPHLAS UPD超快光电探测器 350-1700nm InGaAs
ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和超高的响应速度。
的阻抗匹配和先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的
的工具。产品型号 | 上升时间ps | 带宽GHz | 光谱范围nm | 光敏面积直径μm/mm2 | 暗电流nA | 输出接口 | 材料 |
UPD-15-IR2-FC | < 15 | >25 | 800-1700 | 光纤, 9 µm | 0.1 | SMA | InGaAs |
UPD-30-VSG-P | < 30 | >10 | 320-900 | 200×200 / 0.04 | 0.1 | SMA | GaAs |
UPD-35-IR2-P | < 35 | >10 | 800-1700 | 55 / 0.0024 | 0.3 | SMA | InGaAs |
UPD-35-IR2-D | < 35 | >10 | 800-1700 | 55 / 0.0024 | 0.3 | SMA | InGaAs |
UPD-35-IR2-FR | < 35 | >10 | 800-1700 | 55 / 0.0024 | 0.3 | SMA | InGaAs |
UPD-35-IR2-FC | < 35 | >10 | 800-1700 | 光纤, 9 µm | 0.3 | SMA | InGaAs |
UPD-35-UVIR-P | < 35 | >10 | 350-1700 | 55 / 0.0024 | 0.3 | SMA | InGaAs |
UPD-35-UVIR-D | < 35 | >10 | 350-1700 | 55 / 0.0024 | 0.3 | SMA | InGaAs |
UPD-40-VSI-P | < 40 | >8.5 | 500-1690 | 200×200 / 0.04 | 5000 | SMA | InGaAs |
UPD-40-IR2-P | < 40 | >8.5 | 800-1700 | 60 / 0.0028 | 0.5 | SMA | InGaAs |
UPD-40-IR2-D | < 40 | >8.5 | 800-1700 | 60 / 0.0028 | 0.5 | SMA | InGaAs |
UPD-40-IR2-FR | < 40 | >8.5 | 800-1700 | 60 / 0.0028 | 0.5 | SMA | InGaAs |
UPD-40-IR2-FC | < 40 | >8.5 | 800-1700 | 光纤, 9 µm | 0.5 | SMA | InGaAs |
UPD-40-UVIR-P | < 40 | >8.5 | 350-1700 | 60 / 0.0028 | 0.5 | SMA | InGaAs |
UPD-40-UVIR-D | < 40 | >8.5 | 350-1700 | 60 / 0.0028 | 0.5 | SMA | InGaAs |
UPD-50-SP | < 50 | >7.0 | 320-1100 | 100 / 0.0079 | 0.001 | SMA | Si |
UPD-50-SD | < 50 | >7.0 | 320-1100 | 100 / 0.0079 | 0.001 | SMA | Si |
UPD-50-UP | < 50 | >7.0 | 170-1100 | 100 / 0.0079 | 0.001 | SMA | Si |
UPD-50-UD | < 50 | >7.0 | 170-1100 | 100 / 0.0079 | 0.001 | SMA | Si |
UPD-70-IR2-P | < 70 | >5.0 | 800-1700 | 80 / 0.005 | 0.8 | SMA | InGaAs |
UPD-70-IR2-D | < 70 | >5.0 | 800-1700 | 80 / 0.005 | 0.8 | SMA | InGaAs |
UPD-70-IR2-FR | < 70 | >5.0 | 800-1700 | 80 / 0.005 | 0.8 | SMA | InGaAs |
UPD-70-IR2-FC | < 70 | >5.0 | 800-1700 | 光纤, 9 µm | 0.8 | SMA | InGaAs |
UPD-70-UVIR-P | < 70 | >5.0 | 350-1700 | 80 / 0.005 | 0.8 | SMA | InGaAs |
UPD-70-UVIR-D | < 70 | >5.0 | 350-1700 | 80 / 0.005 | 0.8 | SMA | InGaAs |
UPD-100-IR1-P | < 100 | >3.0 | 400-2000 | 80 / 0.005 | 700 | SMA | Ge |
UPD-200-SP | < 175 | >2.0 | 320-1100 | 400 / 0.126 | 0.001 | BNC | Si |
UPD-200-SD | < 175 | >2.0 | 320-1100 | 400 / 0.126 | 0.001 | BNC | Si |
UPD-200-UP | < 175 | >2.0 | 170-1100 | 400 / 0.126 | 0.001 | BNC | Si |
UPD-200-UD | < 175 | >2.0 | 170-1100 | 400 / 0.126 | 0.001 | BNC | Si |
UPD-300-SP | < 300 | >1.0 | 320-1100 | 600 / 0.283 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-300-SD | < 300 | >1.0 | 320-1100 | 600 / 0.283 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-300-UP | < 300 | >1.0 | 170-1100 | 600 / 0.283 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-300-UD | < 300 | >1.0 | 170-1100 | 600 / 0.283 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-500-SP | < 500 | >0.6 | 320-1100 | 800 / 0.5 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-500-SD | < 500 | >0.6 | 320-1100 | 800 / 0.5 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-500-UP | < 500 | >0.6 | 170-1100 | 800 / 0.5 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-500-UD | < 500 | >0.6 | 170-1100 | 800 / 0.5 | 0.01 | BNC | Si |
UPD-3N-IR2-P | < 150 | >0.4 | 800-2100 | 300 / 0.07 | 90 | BNC | InGaAs |
UPD-5N-IR2-P | < 200 | >0.3 | 800-2600 | 300 / 0.07 | 2000 | BNC | InGaAs |
UPD-2M-IR2-P | < 75000 | >0.004 | 900-1700 | 2000 / 3.14 | 5 | BNC | InGaAs |
UPD-2M-IR2-P-1TEC | < 75000 | >0.004 | 900-1700 | 2000 / 3.14 | 0.3 | BNC | InGaAs |
几种典型产品光谱响应范围
ALPHLAS UPD超快光电探测器 350-1700nm InGaAs
产品咨询
