2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟光伏探测器 PVIA系列-

产品分类

Product Category

光电探测器

单光子探测器/计数器光电倍增管其他光电探测器 Ge锗光电探测器 Ge锗光电二极管砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb InP磷化铟光电探测器 Si硅光电探测器 Si硅光电二极管 InGaAs铟镓砷光电二极管 InGaAs铟镓砷光电探测器 MCT碲镉汞探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟光伏探测器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。

光谱响应

2.15-3.5um

技术参数

产品特点

可探测红外波长范围2-5.5μm

可配专用前置放大器

高温度稳定性与机械耐久性

带有超半球微型砷化镓透镜以实现光学浸没，提升探测器的性能

产品应用

热成像

FTIR光谱学

激光外差探测

中红外气体分析

参数	探测器型号
参数	PVIA-3	PVIA-5
有源元件材料	外延InAs异质结构	外延InAsSb异质结构
最佳波长λopt（μm）	2.15±0.2	2.3±0.2
峰值波长 Peak wavelength λpeak, µm	2.95±0.3	4.7±0.3
截止波长 Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm	3.5±0.2	5.5±0.2
探测率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W	≥5×1010	≥5×109
电流响应度Ri (λpeak), A/W	≥1.1	≥1.2
时间常数T，ns	≤20	≤15
电阻R,Ω	PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70
感光面尺寸A,mm×mm	1×1
封装	TO39
接收角Φ	～36°
窗口	无

探测器光谱响应特性曲线

封装及尺寸

TO39型封装外形尺寸图

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