InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型）-

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光电探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型）

InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。

光谱响应

900-1700nm

响应度

@1550nm 0.85 A/W

技术参数

线性模式参数

产品型号				IGA-APD-GM104-TEC
参数	符号	单位	测试条件	最小	典型	最大
反向击穿电压	VBR	V	22℃±3℃ ，ID =10μA	60	80	90
响应度	Re	A/W	22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1	0.8	0.85
暗电流	ID	nA	22℃±3℃，M =10		0.1	0.3
电容	C	pF	22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz			0.25
击穿电压温度系数	η	V/K	-40℃ ~80℃，ID =10μA			0.15

盖革模式参数

参数	单位	测试条件	最小	典型	最大
单光子探测效率 PDE	%	-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源	20
暗计数率 DCR	kHz	-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%			20*
后脉冲概率 APP		-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%			1× 10-3
时间抖动Tj	ps	-45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20%			100

* 可提供不同等级规格产品

室温IV曲线

DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

温度系数

电容电压

产品特点

● 光谱响应范围0.9~1.7μm

● 高探测效率、低暗计数率

● 6 pin TO8

尺寸规格

封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 （尾纤封装）

产品应用

● 弱光探测

● 量子保密通信

● 生物医疗

InGaAs盖革模式雪崩光电二极管（内置TEC制冷型）

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