铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (140MHz)
铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (140MHz)
通用参数
产品特点：
低噪声，小于±lmV
过冲小，过冲电压小于2.5%
增益稳定：增益误差小于1%
暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms)
应用领域：
•显示面板检测
•LED照明频闪分析
•玩具灯闪烁频率及功率测量
•气体分析
参数
PN# | PDA M 005B- Si | PDA M 36A5B6G- SI | PDA M 20A6B4G- InGaAs |
电器特性 |
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输入电压 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG 100mA | ±9VDC. 100mA |
探头 | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
感光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
波长 | 400 nm - 1100 nm | 320 nm - 1100 nm | 800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm) |
峰值响应 | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
| 43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm |
饱和光功率 | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
芾宽 | DC •-5MHz | DC - 200kHz | DC - 5MHz |
NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
输出噪声（RMS） | 700 uV | 1 mV ・typ | 1.3 mV .typ |
暗电流偏置（MAX） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
上升沿/下降沿（10%—90%） | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
输出电压 |
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Hi-Z | 0- SV (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) |
500 | 0 • 2.5V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) |
增益倍数 |
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Hi-Z | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
50Q | 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A |
增益精度（typ） | ±1% | ±1% | ±1% |
其他参数 |
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| 拨动开关 | 拨动开关 | 拨动开关 |
输出接口 | BNC | BNC | BNC |
尺寸 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
重量 | 150g | 150g | 150g |
操作温度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
存储温度 | ・25°C - 70°C | -25°C - 70°C | -25°C - 70°C |
铟镓砷光电探测器，带放大，固定增益型号参考
| 型号 | 波长 | 带宽 | 上升时间 | 增益 | RMS噪声 | NEP | 感应面 | 工作温度 | 电源 |
| Hi-Z 负载 | 50Ω 负载 |
| PDA10A8B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 140MHz | 2.5 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 760µV .typ | 4.8*10-12 W/√HZ | ф1 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA05A7B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 25MHz | 14 nS | 1.2*104 V/A | 6*103 V/A | 1mV .typ | 1.9*10-11 W/√HZ | ф0.5 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA10A7B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 12MHz | 29 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 800µV .typ | 2.6*10-11 W/√HZ | ф1 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA20A6B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 5MHz | 70 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 1.3mV .typ | 6.5*10-11 W/√HZ | ф2 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
| PDA30A6B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 2MHz | 175 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 800µV .typ | 6.3*10-11 W/√HZ | ф3 mm | 10-50℃ | 包含（±9V） |
外观及安装使用
测试案列：
测试光源：
PN：PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN：DO3431e-q2-Bo2-A19
测试条件：25℃、激光器电流扫描15-23mA，探测器输出如下图。
此款探测器在972nm时，探测精度高，微弱光（几十微瓦）也可以探测到。
尺寸图
铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (12MHz)
