2-12μm ,MCT中红外四级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列-

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Product Category

光电探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

2-12μm ,MCT中红外四级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列

PVI-4TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光电探测器，具有优秀的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有他本身的最佳性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

光谱响应

2.0-12um

技术参数

产品特点

● 含有四级TE制冷以提高探测器性能

● 可探测中红外波长范围2-12μm

● 可配专用前置放大器

● 1mm×1mm大尺寸光敏面

● 带有抗反射涂层窗口镜

● 带有超半球微型砷化镓透镜实现光学浸没，有效提升探测效率

产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测

参数	探测器型号
参数	PVI-4TE-3	PVI-4TE-3.4	PVI-4TE-4	PVI-4TE-5	PVI-4TE-6	PVI-4TE-8	PVI-4TE-10.6
有源元件材料	外延MCT异质结构
最佳波长λopt，μm	3	3.4	4	5	6	8	10.6
探测灵敏度D*(λpeak），cm·Hz½/w	≥1×1012	≥8×1011	≥6×1011	≥3×1011	≥8×1010	≥5×109	≥4×109
探测灵敏度D*(λopt），cm·Hz½/W	≥8×1011	≥7×1011	≥4×1011	≥1×1011	≥6×1010	≥4×109	≥2×109
电流响应度Ri(λopt)，A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.3	≥1.5		≥0.5
时间常数T，ns	≤280	≤200	≤100	≤80	≤50	≤45	≤25
电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2	≥30000	≥2000	≥800	≥40	≥3	≥0.06	≥0.05
有源元件温度Tdet,K	~195
感光面面积AO，mm×mm	0.5×0.5,1×1
封装	TO8,TO66
接收角Φ	～36°
窗口	wAl2O3				wZnSeAR

TO8型封装外形尺寸图

参量	数值
浸没微型透镜形状	超半球形
光学区域面积AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	7.3±0.4	6.4±0.4

备注：

ϕ—接收角度；

R—超半球微型透镜半径

A—4TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离

2TE-TO8引脚定义

功能	PIN号
探测器	1,3
反向偏压（可选）	1（-）,3（+）
热敏电阻	7,9
TE冷却器供应	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4，5，6，10，12

4TE-TO66封装尺寸图

参量	数值
浸没微型透镜形状	超半球形
光学区域面积AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	8.35±0.4	7.45±0.4

备注：

ϕ—接收角度；

R—超半球微型透镜半径

A—4TE-TO66型封装顶部下表面与焦平面的距离

TO66引脚定义

功能	PIN号
探测器	7，8
反向偏压（可选）	7（-）,8（+）
热敏电阻	5,6
TE冷却器供应	1（+），9（-）
未使用	2，3，4

探测器光谱响应特性曲线

热敏电阻特性曲线

四级TE冷却参数表

参量	数值
Tdet , K	~195
Vmax , V	8.3
Imax , A	0.4
Qmax , W	0.28

抗反射涂层窗口光谱透过率曲线

2-12μm ,MCT中红外四级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列

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