2-12um , MCT中红外三级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列-

产品分类

Product Category

光电探测器

单光子探测器/计数器光电倍增管其他光电探测器 Ge锗光电探测器 Ge锗光电二极管砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb InP磷化铟光电探测器 Si硅光电探测器 Si硅光电二极管 InGaAs铟镓砷光电二极管 InGaAs铟镓砷光电探测器 MCT碲镉汞探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

2-12um , MCT中红外三级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列

PVI-3TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电探测器，具有优秀的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有他本身的最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

光谱响应

2.0-12um

技术参数

产品特点

● 含有三级TE制冷以提高探测器性能

● 可探测中红外波长范围2-12μm

● 可配专用前置放大器

● 1mm×1mm大尺寸光敏面

● 带有抗反射涂层窗口镜

● 带有超半球微型砷化镓透镜实现光学浸没，有效提升探测效率

产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测

参数	探测器型号
参数	PVI-3TE-3	PVI-3TE-3.4	PVI-3TE-4	PVI-3TE-5	PVI-3TE-6	PVI-3TE-8	PVI-3TE-10.6
有源元件材料	外延MCT异质结构
最佳波长λopt，μm	3	3.4	4	5	6	8	10.6
探测灵敏度D*(λpeak），cm·Hz½/w	≥9×1011	≥7×1011	≥5×1011	≥1×1011	≥6×1010	≥5×109	≥3×109
探测灵敏度D*(λopt），cm·Hz½/W	≥7×1011	≥5×1011	≥3×1011	≥8×1010	≥3×1010	≥3×109	≥1.5×109
电流响应度Ri(λopt)，A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.3	≥1.5	≥1.0	≥0.7
时间常数T，ns	≤280	≤200	≤100	≤80	≤50	≤45	≤10
电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2	≥24000	≥1500	≥600	≥30	≥2.5	≥0.04	≥0.02
有源元件温度Tdet,K	~210
感光面面积AO，mm×mm	0.5×0.5,1×1						0.05×0.05
封装	TO8,TO66
接收角Φ	～36°
窗口	wAl2O3				wZnSeAR

TO8型封装外形尺寸图

参量	数值
浸没微型透镜形状	超半球形
光学区域面积AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	5.7±0.35	4.8±0.35

备注：

ϕ—接收角度；

R—超半球微型透镜半径

A—3TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离

2TE-TO8引脚定义

功能	PIN号
探测器	1,3
反向偏压（可选）	1（-）,3（+）
热敏电阻	7,9
TE冷却器供应	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4，5，6，10，12