1550nm 铌酸锂高频相位调制器（20GHZ电光带宽）
1310/1550nm 铌酸锂（LiNbO3）高频相位调制器采用钛扩散或质子交换工艺制作光波导，输入输出光纤与波导精密斜耦合，利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。钛扩散（Ti-indiffusion）或质子交换（APE）波导工艺可分别得到双折射或单偏振的相位调制。1550nm 铌酸锂高频相位调制器（20GHZ电光带宽）
通用参数
产品特点
低插入损耗
低驱动电压
钛扩散或质子交换波导
优异的长期稳定性
产品应用
光纤通信
微波光子
量子通信
光学传感
光学啁啾
技术参数
参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
型号 |
| PM-1310/1550-10G-PM-FA |
半波电压DC直流电极 | V |
| 3.5 | 4.5 |
电光带宽S21@-3dB | GHz | 10 |
| 20 |
RF 半波电压@DC | V |
| 3.5 | 4.0 |
偏置半波电压 | V |
|
| 5.0 |
抖动 | dB |
| 0.5 | 1 |
电回波损耗S110-20GHz | dB |
| -12 | -10 |
射频连接器输入电阻 | Ω |
| 40 |
|
输入阻抗直流连接器 | Ω |
| >1M |
|
晶体：Lithium Niobate | . | X-cut Y-propagation |
波导制作（waveguide process） |
| APE工艺 |
插入损耗 | dB |
| 3.0 | 4.0 |
光回波损耗 | dB |
| <-45 |
|
波长相关损耗（1480-1600nm） | dB |
| 0.5 | 1.0 |
直流（DC）消光比 | dB | 20 | 22 |
|
输入光纤 |
| Panda保偏光纤1.5米长，900um |
输出光纤 |
| SMF-28单模光纤1.5米长，900um（PMF可选） |
输入RF连接器 |
| SMA |
DC连接器 |
| Pin feed-through直径：1.0mm |
封装尺寸 | mm | 110 x12.5 x9.0 |
工作温度 | ℃ | 0~ +70 |
存储温度 | ℃ | -40 ~ +85 |
DC输入最大电压 | V | ±20 |
最大RF输入功率 | dBm | +28 |
最大输入光功率 | mW | 200（APE工艺） |
订购信息
PM-W-BW-Y-Z-AB-CD
PM:Phase Modulator
W波长:
0850: 850nm
1064: 1064nm
1310:1310nm
1550: 1550nm
BW：电光带宽
0.3G代表>300MHz
10G代表>10GHz
Y: 输入光纤
P: 代表偏振保持光纤
S: 代表单模光纤
Z：输出光纤
P: 代表偏振保持光纤
S 代表单模光纤
AB：输入光纤连接器
00 代表裸光纤
FA 代表FC/APC
FC 代表FC/SPC
CD：输出光纤连接器
00 代表裸光纤
FA 代表FC/APC
FC 代表FC/SPC
1310nm 铌酸锂高频相位调制器（10GHZ电光带宽）
