GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体

简要描述：GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于

产品型号：GaSe-
厂商性质：经销商
更新时间：2022-06-02
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光学无源器件

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光纤滤波器的性能评估与优化光学晶体可以分为各种不同类型光栅滤波器是光通领域进行通讯链路检测的重要器件

详细介绍

品牌	其他品牌	价格区间	面议
组件类别	光学元件	应用领域	综合
参数	见参数表

GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于复合物GaSe透光率, µm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µm对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, Åa=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µm 5.3 µmno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µm4.1

搜狗截图20220602102900.png

应用

10.6 µm激光辐射二次谐波的产生
中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等

对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

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