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简要描述：LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米，直径约 10 毫米，呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃， b= 8.441 Å，c = 6.772 Å，粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下，通过光
产品型号：LilnSe2-厂商性质：经销商更新时间：2022-06-02访 问 量：468产品分类
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| 品牌 | 其他品牌 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 组件类别 | 光学元件 | 应用领域 | 综合 |
| 透光率 | 0.43-13.2 |
LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米，直径约 10 毫米，呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃， b= 8.441 Å，c = 6.772 Å，粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下，通过光
复合物LilnSe2透光率, µm0.43– 13.2 非线性系数, pm/Vd31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm 对称度斜方（晶系）, mm2 point group 晶胞参数, Åa=7.192, b=8.412, c=6.793 带隙, eV2.86典型反射系数10.0 µm 5.0 µmnx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 nx=2.2370, ny=2.2772, nz=2.2818用于SHG的基频x-y, Type II, eoe2.73 – 8.24x-z, Type I, ooe2.08 – 12.4y-z, Type II, oeo2.73 – 3.07y-z Type II, oeo7.66 – 8.24Total interval covered2.08 – 12.4光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=10 ns)~40 热导率k, WM/M°Ckx=4.73 ± 0.3; ky=4.67 ± 0.3; kz=5.45 ± 0.3室温带隙, eVEg = 2.730.2透明度级别的远红外吸收边缘1.24 THz at 240 µm 光学元件参数定向精度, arc min< 30平行度, arc sec< 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 （范围 1 – 13 µm）中红外(2-13µm)的差频产生 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
应用
Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 （范围 1 – 13 µm）
中红外(2-13µm)的差频产生
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
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