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品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
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应用领域 | 化工,能源,建材,电子 |
PVI-4TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光电探测器,具有好的性能和稳定性,同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。
参数 | 探测器型号 | ||||||
PVI-4TE-3 | PVI-4TE-3.4 | PVI-4TE-4 | PVI-4TE-5 | PVI-4TE-6 | PVI-4TE-8 | PVI-4TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT异质结构 | ||||||
最佳波长λopt,μm | 3 | 3.4 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探测灵敏度D*(λpeak),cm·Hz½/w | ≥1×1012 | ≥8×1011 | ≥6×1011 | ≥3×1011 | ≥8×1010 | ≥5×109 | ≥4×109 |
探测灵敏度D*(λopt),cm·Hz½/W | ≥8×1011 | ≥7×1011 | ≥4×1011 | ≥1×1011 | ≥6×1010 | ≥4×109 | ≥2×109 |
电流响应度Ri(λopt),A/W | ≥0.5 | ≥0.8 | ≥1.0 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥0.5 | |
时间常数T,ns | ≤280 | ≤200 | ≤100 | ≤80 | ≤50 | ≤45 | ≤25 |
电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2 | ≥30000 | ≥2000 | ≥800 | ≥40 | ≥3 | ≥0.06 | ≥0.05 |
有源元件温度Tdet,K | ~195 | ||||||
感光面面积AO,mm×mm | 0.5×0.5,1×1 | ||||||
封装 | TO8,TO66 | ||||||
接收角Φ | ~36° | ||||||
窗口 | wAl2O3 | wZnSeAR |
探测器光谱响应特性曲线
热敏电阻特性曲线
四级TE冷却参数表
参量 | 数值 |
Tdet , K | ~195 |
Vmax , V | 8.3 |
Imax , A | 0.4 |
Qmax , W | 0.28 |
抗反射涂层窗口光谱透过率曲线
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