中红外非制冷光电探测器-

产品分类

Product Category

光电探测器

单光子探测器/计数器光电倍增管其他光电探测器 Ge锗光电探测器 Ge锗光电二极管砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb InP磷化铟光电探测器 Si硅光电探测器 Si硅光电二极管 InGaAs铟镓砷光电二极管 InGaAs铟镓砷光电探测器 MCT碲镉汞探测器

查看全部

详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器，采用光学浸没的方式提高器件的性能参数，使其具有好的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到好性能。起始波长可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

产品特点

● 可探测中红外光波范围2.5-6.5μm

● 可配专用前置放大器

● 提供TO39与BNC两种封装形式

● 带有超半球微型砷化镓透镜实现光学浸没，有效提升探测效率

封装及尺寸

BNC型封装及尺寸

参量	数值
浸没微型透镜形状	超半球形
光学区域面积AO；mm×mm	0.5×0.5	1×1
R,mm	0.5	0.8
A,mm	4.6±0.30	5.5±0.30

备注：

ϕ—接收角度；

R—超半球微型透镜半径

A—BNC型封装顶部与焦平面的距离

TO39型封装及尺寸

参量	数值
浸没微型透镜形状	超半球形
光学区域面积AO；mm×mm	1×1	2×2
R,mm	0.5	0.8
A,mm	1.5±0.20	2.4±0.20

TO39-引脚定义

引脚定义
功能	引脚号
探测器	1（-）,2（+）
接地	3

产品应用

● 热成像

● FTIR光谱学

● 激光外差探测

● 中红外气体分析

技术参数

参数	探测器型号
参数	PVI-3	PVI-3.4	PVI-4	PVI-5	PVI-6
有源元件材料	外延MCT异质结构
最佳波长λopt（μm）	3	3.4	4	5	6
相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	≥5.0×1010	≥5.0×1010	≥3.0×1010	≥1.5×1010	≥8.0×109
相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	≥5.0×1010	≥4.5×1010	≥2.0×1010	≥9×109	≥4.0×109
电流响应度Ri(λopt),A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.0	≥1.0
时间常数T，ns	≤350	≤260	≤150	≤120	≤180
电阻×光敏面面积R·A,	≥100	≥50	≥6	≥1	≥0.2
感光面尺寸A,mm×mm	0.5×0.5，1×1
	TO39,BNC
接收角ϕ	～36°
窗口	无