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当前位置：首页 > > 光电探测器 > InGaAs铟镓砷光电二极管 > 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管（900-1800nm，直径10mm)
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| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,能源,建材,电子 |
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔 半导体激光二极管。
● 小光敏面大光敏面可选 (100µm to 25mm)
● 800nm to 1800nm 光谱响应
● 高线性 > 10 dBm
● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)
● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)
● 激光功率计
● LED/LD老化诊断
● 光谱学
● LED/LD特性
● 眼睛安全激光检测传感器
特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
光谱响应范围 | λ | — | 900～1700 | nm | ||
光敏面直径 | φ | — | 10 | mm | ||
响应度 |
Re | VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw | 0.85 | — | — | A/W |
VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw | 0.95 | — | — | |||
响应时间 | tS | VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz | — | 8 | 20 | μs |
总电容 | C | VR=5V,f=1KHz | — | 3 | 10 | nF |
暗电流 | ID | VR=5V,φe=0 | — | 25 | 100 | nA |
分流阻抗 | Rsh | VR=10mV | 10 | — | — | MΩ |
光谱响应曲线
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