InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm-

产品分类

Product Category

光电探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。

产品特点

●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm

●采用金属封装，器件质轻灵巧

●像元独立、自由运行

●像元可探测弱光子信号

●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调

封装及尺寸

封装外形结构与尺寸(单位: mm )

电学接口

●电源输入: +5V

●数据输出类型: TTL

●控制命令接口: J63A-31

●电源输入接口类型: J30J

●数据输出接口类型: J63A-31

●外触发接口: SSMA

接口编号	功能
1	SSMA-1:内同步信号输出
2	SSMA-2:外同步信号输入
3	J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口
4	J30J: +5V单电源供电

产品应用

●透雾、霾、烟尘等测距

●近红外激光告警

●远距离激光测距

●远距离空间激光通信

技术参数

探测器面阵规格

	性能描述
器件类型	InGaAs APD
阵列规模	4x4
像元大小	100μm x 100μm
光敏面大小[1]	85μm x 85μm
光窗	石英光窗
感光靶面至光窗外表面间距	4mm (光窗厚度为1mm )
注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。

主要性能指标(Tc=22+3℃)

特性参数	参数指标
工作波长[1]	0.95 ~ 1.65μm
探测效率	≥10% ( 1.57 +0.05μm)
暗计数率	≤10KHz
时间抖动	≤500ps
死时间	100 ~ 1000ns可调
有效像元率	100%
注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。

绝对最大额定值

参数	额定值	单位
工作温度范围Tc	-40～+55	°C
贮存温度范围TSTG	-40～+70	°C
最大功耗P	15	W
输入偏置范围VR	4.9～5.5	V
静电放电敏感度ESD	1000～2000	V

质量可靠性保证

● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。

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