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InGaAsPD/APD-TIA光电模块

简要描述:InGaAsPD/APD-TIA光电模块特点:
● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高灵敏度
● 工作波长范围:1260~1650nm
● 单电源供电
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE标准
● RoHS认证RoHS compliant

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-08-08
  • 访  问  量:440

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

产品特点

● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

高灵敏度

工作波长范围:1260~1650nm

单电源供电

遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE标准

RoHS认证RoHS compliant

封装及尺寸

fz.png

引脚定义

yj.png

引脚编号

引脚功能说明

引出端符号

1

信号正输出端

Vout+

2

放大器电源

VCC

3

偏置电压

VAPD

4

信号负输出端

Vout-

5

接地

GND (case)


yj1.png


引脚编号

引脚功能说明

引出端符号

1

信号正输出端

Vout+

2

信号负输出端

Vout

3

接地

-GND   (case)

4

放大器电源

VCC


注意事项

a.严格按照引脚说明连接,输出AC耦合时,差分负载应为100Ω

b. 贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施。

c.器件属于高电压工作器件,使用时应采取适当的设计和措施避免人体受到伤害。

产品应用

● 无源光网络与SDH/SONET传输系统

吉比特以太网与光纤信道

其它应用Other application

订购信息

型号: IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX

速率□□□□:

0155:155Mbps

1.25:1.25Gbps

2.5:2.5Gbps

探测器类型☆:

A: APD

P: PD

T: TIA

封装XX:

PG:尾纤

TO:TO封装

技术参数

参数名称

符号

测试条件

最小

典型Typ.

最大

单位

TIA工作电流

ICC

Vcc=3.3V

-

44

59

mA

反向击穿电压1)

VBR

ID=100μA

35

-

55

V

VBR温度系数

σ

γ= dVBR/dTC

-

0.1

0.15

V/℃

差分跨阻

IRPD5521Y-155

IRPD5521Y-1.25

IRPD5521Y-2.5

ZT

Pin=-30dBm, RL=100Ω,

54

26

3.6

-3dB带宽

IRPD5521Y-155

IRPD5521Y-1.25

IRPD5521Y-2.5

f-3dB

Pin=-30dBm

100

1000

2000

MHz

响应度

Re

M=1 , λ = 1.55μm

0.85

0.95

-

A/W

输出阻抗

ZO

Single ended

-

50

70

Ω

灵敏度

IRPD5521Y-155A

IRPD5521Y-155P

IRPD5521Y-1.25A

IRPD5521Y-1.25P

IRPD5521Y-2.5A

IRPD5521Y-2.5P

PS

λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

ER=10dB,

V=Vop

-47 -39 -35 -28 -34 -26

dBm

过载功率

APD

PIN

PMAX

-5

+3

-

-

dBm

光回损

Lo

λ = 1.55μm

-

-

-30

dB

备注:1)仅适用于APD探测器


最大绝对额定值 T=25deg

参数名称

符号

额定值

单位

TIA电源电压

VCC

5

V

APD反向电压APD

VAPD

VBR

V

APD/PD反向电流

Ir

2

mA

APD/PD正向电流

If

2

mA

工作温度范围

TC

-40 ~ +85

贮存温度范围

TSTG

-55 ~ +100



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