2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中红外探测器是非制冷光伏探测器，基于HgCdTe异质结构，集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能够在空间有限的长波红外测量系统中进行组装。

便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔 半导体激光二极管。 超大光敏面 铟镓砷(InGaAs)PIN结二极管(PD) 光电二极管（10mm）近红外波长

APD芯片 四象限雪崩探测接收模块GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。 铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块

四象限捕获光电探测接收模块 1000-1650nm采用正照型四象限光电探测器与低噪声跨阻抗放大器混合集成。其四个电压输出端P1、P2、P3、P4分别对应于器件中探测器的四个象限，当探测器的四个象限接收的光强变化时，器件的四个电压输出端的电压也会随之线性变化。

16mm四象限Si光电探测器SIQ1600：器件是N型硅象限探测器，当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。 16mm四象限Si光电探测器/N型硅象限探测器 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W

Alphalas UPD超快光电探测器（800-2600nm ，上升沿时间＜200ps ，InGaAs；Polished； glass） 产品特点 •超高速运行 •上升时间：从15 ps开始 •带宽：高达25 GHz •光谱范围：170-2600 nm

Alphalas UPD超快光电探测器 (800-1700nm 上升时间35ps 10GHz InGaAs) 产品总览 ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。

InGaAs雪崩光电探测器 800-1700nm 100*100*25mm 响应度 9A/W具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。