2.5-6.5um MCT碲镉汞 中红外非制冷光电探测器 PVI系列 PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器，采用光学浸没的方式提高器件的性能参数，使其具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的最佳性能。起始波长可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器，具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的佳性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器：材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC,SMF28e

美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器：材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接,FC/UPC

美国EOT - 硅光电探测器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降时间：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 响应度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１１８ＭＨｚ； 有效面积直径：２．５５ｍｍ； 输出连接：BNC

美国EOT InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC

2.2um扩展型InGaAs光电二极管探测器：峰值波长（典型）： 2.0 ± 0.1um 截止波长 (50%): 2.2 ± 0.1um 响应度@ λP(min/typ)：0.9/1.0A/W 有效直径：3mm

Ge大光敏面锗光电二极管 800-1800nm 直径 5mm双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。