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  • 砷化铟 InAs光伏探测器 3.35μm
    砷化铟 InAs光伏探测器 3.35μm

    砷化铟 InAs光伏探测器 3.35μm InAs砷化铟光伏电探测器与PbS 硫化铅光电导探测器一样,在3μm左右的红外区域具有高灵敏度,而且噪声低、速度高、可靠性高。该系列是一个新的InAs光伏探测器系列,它比我们的传统产品提供更低的噪音。筱晓光子提供有各种类型可选择,包括非冷却型、热电冷却型和提供高性能的液氮冷却型。

    更新时间:2022-09-16型号:访问量:663
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  • 145GHz光电探测器模块(单模光纤)
    145GHz光电探测器模块(单模光纤)

    145GHz光电探测器模块(单模光纤) 该产品是为数据通信(> 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。

    更新时间:2022-09-16型号:访问量:479
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  • 145GHz InP磷化铟 超快光电探测器模块 保偏光纤 1480-1620nm
    145GHz InP磷化铟 超快光电探测器模块 保偏光纤 1480-1620nm

    145GHz InP磷化铟 超快光电探测器模块 保偏光纤 1480-1620nm 该产品是为数据通信( 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。

    更新时间:2022-09-16型号:访问量:471
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  • 硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz
    硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz

    硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz 高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。

    更新时间:2022-09-15型号:访问量:526
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  • SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm
    SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm

    SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm C3A系列光电检测模块将光电二极管,放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建,也适用于在用户产品中进行集成

    更新时间:2022-09-15型号:访问量:451
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm
    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2022-09-15型号:访问量:563
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  • 1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W)
    1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探测器,当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。

    更新时间:2022-09-15型号:访问量:597
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  • 1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W)
    1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W) 器件是N型硅象限探测器,当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。

    更新时间:2022-09-15型号:访问量:530
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