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  • ET-5000F.铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT
    ET-5000F.铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOTEOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2024-12-06型号:ET-5000F.访问量:953
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  • 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT
    硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT 美国EOT筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT
    硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
    硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • InGaAs ET-3000  InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 铟镓砷 InGaAs  ET-3010  光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • UPD-35-UVIR-D超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs
    UPD-35-UVIR-D超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

    超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围

    更新时间:2024-12-06型号:UPD-35-UVIR-D访问量:864
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  • ALPHLAS UPD超快光电探测器 (感光材料 Si, 320-1100nm)
    ALPHLAS UPD超快光电探测器 (感光材料 Si, 320-1100nm)

    ALPHLAS UPD超快光电探测器 (感光材料 Si, 320-1100nm) ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围

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