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  • InGaAs ET-3000  InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2022-09-19型号:访问量:455
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  • 铟镓砷 InGaAs  ET-3010  光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • ALPHLAS UPD超快光电探测器 SMA接口 800-1700nm , InGaAs
    ALPHLAS UPD超快光电探测器 SMA接口 800-1700nm , InGaAs

    ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAsALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围

    更新时间:2022-09-19型号:访问量:471
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  • ALPHLAS UPD超快光电探测器 (感光材料 Si, 320-1100nm)
    ALPHLAS UPD超快光电探测器 (感光材料 Si, 320-1100nm)

    ALPHLAS UPD超快光电探测器 (感光材料 Si, 320-1100nm) ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围

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  • ALPHLAS UPD超快光电探测器 350-1700nm InGaAs
    ALPHLAS UPD超快光电探测器 350-1700nm InGaAs

    ALPHLAS UPD超快光电探测器 350-1700nm InGaAs ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围

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  • 带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4A
    带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4A

    数字集成光电二极管1 kHz , WL-IPD4B通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP),以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。

    更新时间:2022-09-19型号:访问量:403
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  • Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm)
    Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm)

    Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。

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  • 850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管(不带TEC)
    850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管(不带TEC)

    850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管(不带TEC) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管

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