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  • PL-DFB-852-A-A81-PA-R852nm 30mw DFB 保偏激光二极管
    PL-DFB-852-A-A81-PA-R852nm 30mw DFB 保偏激光二极管

    852nm 30mw DFB 保偏激光二极管是一种经济高效的高相干激光光源。DFB激光二极管芯片封装在工业标准的14针蝶形封装中,内置TEC和PD。我们专门的设计适用于在室温下工作。我们的二极管在20℃-30℃有很好的性能。

    更新时间:2022-08-08型号:PL-DFB-852-A-A81-PA-R访问量:472
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  • DFB2004-01-20-TO392004nm单模高功率DFB激光器
    DFB2004-01-20-TO392004nm单模高功率DFB激光器

    2004nm单模高功率DFB激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳气体检测。

    更新时间:2022-08-08型号:DFB2004-01-20-TO39访问量:448
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  • MIR-QCL-W4000-1-FP-02504.0um红外高功耗台式FP-QCL量子级联激光器
    MIR-QCL-W4000-1-FP-02504.0um红外高功耗台式FP-QCL量子级联激光器

    4.0um红外高功耗台式FP-QCL量子级联激光器是筱晓光子开发的连续光激光器,输出光功率比较高,准直输出功率有几百毫瓦,能够满足中红外测试的光源条件。并且台式FP-QCL激光器模块内部集成了驱动,温控模块,还可以用软件控制调谐激光器的温度和工作电流,能够让激光器稳定工作,保持测量数值的准确性。

    更新时间:2022-08-08型号:MIR-QCL-W4000-1-FP-0250访问量:743
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  • 760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL
    760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL

    760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护.

    更新时间:2022-08-08型号:访问量:597
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  • V00145894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs
    V00145894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs

    894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。

    更新时间:2022-08-08型号:V00145访问量:742
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  • 1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW
    1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW

    1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。

    更新时间:2022-08-08型号:访问量:676
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  • MP794-01-TN-S46FTT795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips
    MP794-01-TN-S46FTT795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips

    795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

    更新时间:2022-08-08型号:MP794-01-TN-S46FTT访问量:520
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  • ULM760-01-TN-S46FTT760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips
    ULM760-01-TN-S46FTT760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips

    760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips:Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm、764nm激光器, 760nm用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

    更新时间:2022-08-08型号:ULM760-01-TN-S46FTT访问量:499
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